高能物理实验数据传输ASIC芯片设计工艺流片项目单一来源公示
[HSAXC06-20200179］
根据《华中师范大学采购管理办法》的规定，华中师范大学拟对“高能物理实验数据传输ASIC芯片设计工艺流片项目”项目按照单一来源方式采购，现予以公示。
一、 采购内容
ASIC芯片研发项目芯片流片
二、采购项目相关要求（采购预算人民币43万元）
为了研究设计具有抗辐射性能的光通信电芯片，同时也是“抗辐射并行光纤数据发送模块及抗辐射激光器驱动ASIC芯片的研发”面上项目的重要研究内容之一，拟采购中心国际SMIC55nm工艺节点下的流片。
设备/服务名称：ASIC芯片研发项目芯片流片
配置要求：SMIC 55nm low-leakage多项目晶圆流片，3mm*4mm block，50颗芯片，1P10M
三、采用单一来源采购方式的原因及相关说明
1.选择55nm作为流片工艺节点基于芯片性能考虑，是达到指标要求串行速率10 Gbps+的系列光通信ASIC芯片设计所必需的工艺节点。
2.光通信相关的系列电芯片一直以来是我国集成电路设计领域的长期短板和典型卡脖子方向之一。本项目针对的具有抗辐射性能的光通信电芯片更是严格被国外对中国禁运。由于抗辐射需求以及国外封锁的缘故，选择工艺可靠、技术支持充分、得到过大量应用验证的国产工艺对本次流片工作有决定性意义。
3.中芯国际是国内规模和成熟度领先的集成电路晶圆代工企业，此次流片基于工厂现有成熟商用工艺(SMIC55nm),定制化开发面向工程应用的系列ASIC芯片，成熟度、可靠性均为首要优先考量。中芯国际的55nm是满足以上条件的国内工艺厂中的唯一选择。
4.除了工艺选择之外，由于项目本身的抗辐射等特殊应用要求，对服务商的技术水准，特别是在抗辐射工艺调节方面的熟悉程度、与工艺厂间的流程沟通有很高要求，需要有实际的抗辐射ASIC芯片服务经验以及与工艺厂间的深入沟通能力。苏州四方杰芯电子科技有限公司是一家专业的流片服务代理商，拥有中芯国际的直接账号和细节调配沟通能力，累计中芯国际流片产品即超过四十颗。更重要的是本研究团队已与该服务商在多个采用SMIC55nm工艺的抗辐射光通信芯片项目中有成熟、成功的合作经历，积累了大量该工艺下的技术文档和实际项目经验。之前的合作技术文档与经验积累对本项目的顺利推进具有决定性意义。
因此拟采用单一来源采购。
四、拟定唯一供应商名称、地址
供应商名称：苏州四方杰芯电子科技有限公司
地址：江苏省苏州工业园区星湖街328号崇文路国华大厦B706
联系人：蔡予明
联系电话：18036825415
五、发布公示的媒介
本公示仅在华中师范大学招标信息网http://zb.ccnu.edu.cn/网站上发布。
六、征求意见期限从2020年9月25日至9月30日17：30止
潜在供应商对公示内容有异议，请在公示期内以实名书面（盖单位公章、联系人姓名及电话、地址等）形式将意见反馈至华中师范大学招标管理办公室（华师行政楼附楼115室）。
详细地址：湖北省武汉市洪山区珞喻路152号华中师范大学，邮政编码：430079
项目经办人：邱老师 电话：027-67862906或QQ：303625014
电子邮件：303625014@qq.com
华中师范大学招标管理办公室
二〇二〇年九月二十一日